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El Samsung Galaxy S6 podría incorporar una nueva memoria interna

12 noviembre, 2014 by

Al parecer, Samsung estaría desarrollando para el Samsung Galaxy S6 un nuevo tipo de memoria interna que permitiría alcanzar mayores velocidades de transferencia y un menor consumo de batería.

Este nuevo tipo de memoria interna respondería al nombre de UFS (Universal Flash Storage), y se trataría de un tipo de almacenamiento interno que combinaría las tecnologías de SSD y eMMC para así dar lugar a unas velocidades de transferencia que pueden alcanzar los 1.2 GigaBytes por segundo.

Además, las memorias con la tecnología de UFS Flash permiten realizar las mismas tareas que las memorias convencionales consumiendo aproximadamente la mitad de energía, lo que en el caso del Samsung Galaxy S6 es de suponer que se traducirá en un notable aumento de la autonomía.

En resumen: el Samsung Galaxy S6 será más rápido y consumirá menos batería que sus antecesores, todo ello suponiendo que esta información sea cierta.

El resto de características que se rumorean incorporará son una pantalla de 5.2 pulgadas con 3.840 x 2.160 píxeles de resolución, un procesador Qualcomm Snapdragon 810 de ocho núcleos con tecnología de 64 bits, 3 GigaBytes de memoria RAM y 32/64/128 GigaBytes de memoria interna.

Todo apunta a que el Samsung Galaxy S6 será presentado oficialmente en el próximo Mobile World Congress, que tendrá lugar en Barcelona a finales del mes de marzo del próximo año 2015.

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Filed Under: Marcas, Noticias, Samsung Tagged With: Samsung, Samsung Galaxy S6

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